工作频率：DC 至 12 GHz
　　插入损耗：典型值 0.8 dB（在 6 GHz 下）
　　隔离度：典型值 35 dB（在 6 GHz 下）
　　VSWR：典型值 1.3:1
　　功率处理能力：最大 34 dBm
　　供电电压：2.5V 至 3.3V
　　控制接口：GPIO 控制
　　封装类型：16 引脚 QFN
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C

XRF4230 的核心优势在于其基于 UltraCMOS 技术的单片集成结构，使其在高频应用中表现出色。该芯片具有低插入损耗和高隔离度，确保在高频信号切换过程中信号损耗最小，同时有效抑制串扰。其宽频率覆盖范围（DC 至 12 GHz）使其适用于多种射频系统，包括 Sub-6GHz 和部分毫米波应用。
　　此外，XRF4230 具有良好的线性度和高功率处理能力，支持高达 34 dBm 的输入功率，适合用于高功率发射路径。该器件采用小型 QFN 封装，节省 PCB 空间，并支持多种控制接口，便于与 FPGA、ASIC 或处理器连接。其宽电压供电范围（2.5V 至 3.3V）增强了设计灵活性，同时具有较低的功耗，适用于功耗敏感型应用。
　　该芯片还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，可在工业级温度范围内稳定工作（-40°C 至 +105°C），适用于严苛的户外和工业环境。

XRF4230 主要应用于高性能射频和微波系统中，如 5G 毫米波基站、Wi-Fi 6E 接入点、多频段通信设备、测试与测量仪器、雷达系统以及汽车雷达（如 76-81GHz 毫米波雷达的前端控制）等。由于其高频性能和高可靠性，该器件也广泛用于航空航天和国防领域的通信系统中。
　　在 5G 基础设施中，XRF4230 可用于天线切换、频段选择和射频路径控制，支持多频段多模基站的灵活配置。在 Wi-Fi 6/6E 系统中，它可用于实现高效的天线分集和波束成形控制。此外，在测试设备中，该芯片可作为高性能射频开关，用于自动测试系统中的信号路由管理。

PE42303, HMC642, SKY13417