您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GCQ1555C1H5R3WB01D

GCQ1555C1H5R3WB01D 发布时间 时间:2025/6/22 4:07:11 查看 阅读:24

GCQ1555C1H5R3WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、电机驱动以及各种开关应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低能量损耗并提高系统性能。
  这款芯片适用于需要高效能和高可靠性的应用场景,例如适配器、充电器、DC-DC转换器等。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):60V
  连续漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):70nC
  总功耗(Ptot):150W
  工作温度范围(Top):-55℃ 至 +175℃

特性

GCQ1555C1H5R3WB01D具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少导通损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,适用于现代高效的电源设计。
  3. 强化了热性能表现,具备良好的散热能力,能够在高温环境下稳定运行。
  4. 内置静电保护电路,提升了器件在实际使用中的可靠性与抗干扰能力。
  5. 小型化的封装形式,便于在空间受限的设计中使用。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
  2. 各类DC-DC转换器,如降压或升压电路。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 工业自动化设备中的开关应用。
  5. 电池管理系统(BMS)中的负载切换和保护功能。
  6. 汽车电子领域的负载控制与保护。

替代型号

GCQ1555C1H5R3WB01E, GCQ1555C1H5R3WB01F

GCQ1555C1H5R3WB01D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GCQ1555C1H5R3WB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.58840卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5.3 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-