时间：2025/7/22 16:10:19
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STLD125N4F6AG是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于高功率和高效率的电子设备中。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。STLD125N4F6AG适用于汽车电子、工业电源、电机控制和电池管理系统等领域，为高要求的应用提供了可靠的解决方案。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：40V
最大漏极电流（ID）：125A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：5.7mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：93nC（典型值）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：PowerFLAT 5x6
功率耗散（Ptot）：130W
短路耐受能力：有
符合标准：AEC-Q101（适用于汽车应用）
STLD125N4F6AG采用了意法半导体的先进沟槽栅极技术，确保了低导通电阻和高开关效率。其导通电阻仅为5.7mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统的整体能效。此外，该器件具有高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高负载条件下保持可靠运行。STLD125N4F6AG的栅极电荷较低，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，提高了器件在异常工作条件下的鲁棒性。此外，其符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于各种严苛环境下的汽车应用。封装采用PowerFLAT 5x6设计，具有优良的散热性能，适合紧凑型高功率应用。
STLD125N4F6AG广泛应用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器和电机驱动器。此外，它也适用于工业电源、服务器电源、电信设备、不间断电源（UPS）以及高功率电池充电器。由于其高可靠性和优异的热性能，STLD125N4F6AG也可用于需要高效率和高稳定性的消费类电子产品，如高性能计算设备和大功率LED照明系统。
STL125N4F6AG, STP125N4F6AG, IPD125N4F6AG
