型号：2105-V-RC
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.7 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：18.8 A
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V：22 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 2.5V：29 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 1.8V：42 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.1 V，范围0.8 V ~ 1.4 V
　　输入电容（Ciss）：典型值365 pF
　　输出电容（Coss）：典型值145 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值10 ns
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值4.5 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值14 ns
　　封装形式：SOT-23
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

2105-V-RC采用Vishay专有的TrenchFET技术，这种先进的沟槽式结构显著降低了单位面积下的导通电阻，从而提升了器件的整体效率。由于其超低的RDS(on)值，在低电压、大电流的应用中能有效减少传导损耗，提高系统能效。例如，在VGS=4.5V时，RDS(on)仅为22mΩ，即使在更低的驱动电压如1.8V下也能保持较低的导通阻抗（42mΩ），这使得它非常适合用于3.3V或更低电压系统的开关控制。此外，该器件具有非常快的开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg）和低输入/输出电容，可以实现高频操作而不会带来过高的动态损耗，适用于DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等需要快速响应的场合。
　　另一个关键特性是其优异的热性能。尽管封装尺寸仅为SOT-23（约2.8mm x 1.9mm），但通过优化芯片布局和封装材料，2105-V-RC能够在有限的空间内有效散热，支持高达4.7A的连续漏极电流。同时，其最大工作结温可达+150°C，具备较强的环境适应能力，可在高温工业环境中稳定运行。该器件还内置了体二极管，虽然未专门优化用于续流，但在某些拓扑结构（如同步整流）中仍可提供基本的反向电流路径功能。此外，2105-V-RC具有良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了在恶劣电气环境中的鲁棒性。
　　从制造和可靠性角度看，2105-V-RC遵循严格的品质控制流程，符合AEC-Q101车规级认证的部分要求（视具体批次而定），可用于对可靠性有较高要求的应用。其无铅、无卤素的设计也满足当前全球环保法规的要求，便于出口和大规模生产使用。总体而言，这款MOSFET将高性能、小型化与高可靠性集于一身，特别适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无线耳机、USB电源开关、电池管理系统（BMS）以及各种便携式消费类电子产品的电源管理模块中。

2105-V-RC广泛应用于需要高效、紧凑型功率开关的各类电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的电源开关与负载切换，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或热插拔管理。由于其低导通电阻和小封装尺寸，常被用作电池供电系统的主控开关，配合充电管理IC进行充放电路径控制，防止反向电流和过流风险。此外，该器件在同步降压（Buck）和升压（Boost）DC-DC转换器中作为低边开关表现出色，尤其适用于输出电流适中但要求高效率的小功率电源架构。
　　在嵌入式系统和物联网设备中，2105-V-RC可用于GPIO扩展后的功率驱动，比如控制LED指示灯、传感器模块或无线通信单元的上电时序。其逻辑电平兼容性允许直接由MCU的I/O引脚驱动，简化了外围电路设计，减少了元件数量和PCB占用空间。该MOSFET也常见于USB接口的限流与过载保护电路中，作为电子保险丝（eFuse）的核心开关元件，能够在检测到短路或异常电流时迅速切断电源，保护主机端口免受损坏。
　　其他应用还包括微型电机驱动（如振动马达）、热敏打印机头驱动、音频放大器中的电源切换以及各种手持式医疗设备中的电池隔离电路。由于其具备良好的高温稳定性和长期可靠性，也可用于工业传感器节点、智能仪表和低功耗网关等严苛环境下的电源管理任务。总之，凡是需要在有限空间内实现高效、快速、低损耗功率控制的场合，2105-V-RC都是一个极具竞争力的选择。

Si2302DDS-T1-E3
　　DMG2302UK-7
　　AO3400A
　　FDMN340P