时间：2025/7/5 4:49:19
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FN21X562K500PXG 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电路和负载驱动等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款 MOSFET 的封装形式为 PXG，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高功率密度的应用环境。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：40A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：150nC
输入电容：2800pF
开关速度：超快恢复
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FN21X562K500PXG 具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，支持高达 500V 的漏源电压，适用于高压工业应用。
2. 极低的导通电阻（45mΩ），可有效降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，栅极电荷小（150nC），适合高频开关应用。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应恶劣的工作环境。
5. 高可靠性设计，确保长时间稳定运行。
6. 封装形式为 PXG，具备优秀的散热特性和安装便利性。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动和逆变器中的功率开关。
3. 工业控制设备中的负载开关。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）。
6. 高压 DC/DC 转换器中的同步整流元件。
IRFP460, FDP18N50, STP12NM50
