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HS1M 发布时间 时间:2025/7/3 10:01:14 查看 阅读:25

HS1M是一种高性能的霍尔效应传感器芯片,广泛应用于位置检测、速度测量和电流传感等领域。该芯片基于CMOS工艺制造,具有低功耗和高灵敏度的特点。HS1M能够感知磁场的变化,并将其转换为电信号输出,适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

工作电压:2.5V~5.5V
  工作温度范围:-40℃~125℃
  输出类型:数字输出(开漏极)
  灵敏度:30mT(:1μs(最大值)
  静态电流:10μA(最大值)

特性

HS1M采用先进的霍尔技术,具备出色的温度稳定性和抗干扰能力。其超低功耗设计非常适合电池供电设备。此外,该芯片内置了多种保护机制,如反向电压保护和过流保护,提高了系统的可靠性。
  HS1M的封装形式紧凑,便于集成到小型化产品中。其数字输出可以直接与微控制器或其他逻辑电路连接,简化了系统设计。

应用

HS1M广泛用于无刷电机换向控制、接近开关、流量计、转速表以及电子锁等场景。在汽车电子领域,它可用于车速传感器和档位检测;在家电领域,它可以实现洗衣机滚筒的位置监测或空调风扇的速度调节。
  由于其高灵敏度和快速响应特性,HS1M也非常适合需要精确磁场检测的应用场合。

替代型号

MLX90392
  AH180
  DHALL16

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HS1M参数

  • 制造商Taiwan Semiconductor
  • 产品种类整流器
  • 产品Ultra Fast Recovery Rectifiers
  • 配置Single
  • 反向电压1000 V
  • 正向电压下降1.7 V
  • 恢复时间75 ns
  • 正向连续电流1 A
  • 最大浪涌电流30 A
  • 反向电流 IR5 uA
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SMA
  • 封装Reel
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 最小工作温度- 55 C
  • 工厂包装数量7500
  • 零件号别名F2