RF1890ATR13-5K 时间：2025/8/16 0:46:36 阅读：23

RF1890ATR13-5K 是一款由 Vishay Siliconix 生产的射频（RF）晶体管，属于 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高频、低噪声放大应用而设计，广泛用于无线通信系统、射频前端模块、接收机和发射机电路中。该晶体管采用了先进的硅工艺技术，能够在高频下提供优异的增益和低噪声性能。RF1890ATR13-5K 采用 SOT-363 封装，尺寸小巧，适合高密度 PCB 布局。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　工作频率：2.4 GHz
　　最大漏源电压：10 V
　　最大栅源电压：±15 V
　　最大漏极电流：100 mA
　　输出功率：20 dBm
　　增益：> 18 dB
　　噪声系数：< 0.5 dB
　　封装类型：SOT-363
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

RF1890ATR13-5K 的核心优势在于其在高频工作下的低噪声和高增益表现，非常适合用于射频前端的小信号放大。该器件在 2.4 GHz 频段下的噪声系数低于 0.5 dB，确保了信号的高质量接收，同时提供超过 18 dB 的增益，有助于提升系统整体的灵敏度。此外，该晶体管的最大工作电压为 10 V，支持宽范围的电源供应，适用于多种低功耗射频应用。
　　其采用的 SOT-363 小型封装不仅节省空间，还具有良好的热稳定性和高频性能，适合用于无线局域网（WLAN）、蓝牙、ZigBee、Wi-Fi 模块以及其他 2.4 GHz ISM 频段通信设备。该器件的可靠性高，能够在 -55°C 至 +150°C 的工业级温度范围内稳定工作，适应各种恶劣环境。
　　由于其低功耗特性，RF1890ATR13-5K 可用于电池供电设备，如便携式通信设备和物联网（IoT）模块。此外，该器件具备良好的线性度和稳定性，能够在复杂电磁环境中保持良好的信号完整性。

应用

RF1890ATR13-5K 主要应用于 2.4 GHz ISM 频段的无线通信系统中，如 Wi-Fi 802.11b/g/n 接收机前端、蓝牙模块、ZigBee 收发器、无线传感器网络节点等。此外，它也可用于低噪声放大器（LNA）、混频器前置放大器、射频识别（RFID）读写器和便携式测试设备中。由于其优异的高频性能和小型封装，该晶体管非常适合用于高集成度的射频电路设计。