类型：MOSFET模块
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏-源电压（VDS）：150V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值5.5mΩ
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）模块封装
　　安装方式：通孔安装（Through Hole）

TMCS30E1E155MTF具有多个显著的技术特性，适用于高功率和高效率的电子系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为5.5mΩ，这意味着在工作状态下，MOSFET的导通损耗非常低，从而提高了系统的整体能效。其次，该模块的最大漏极电流为30A，最大漏-源电压为150V，使其能够承受较大的负载电流和电压，适用于高功率密度设计。
　　该模块采用模块化封装结构，内部集成了多个MOSFET芯片，增强了电流承载能力和热稳定性。此外，其封装设计优化了热管理性能，有助于快速散热，确保器件在高负载条件下依然保持稳定运行。模块的封装还具备良好的机械强度和电气绝缘性能，能够有效防止外部环境的影响，提高整体系统的可靠性。
　　TMCS30E1E155MTF的工作温度范围为-40°C至+150°C，表明其适用于各种严苛的工作环境，包括工业自动化、电机控制、不间断电源（UPS）以及电能转换系统等应用场景。该模块的通孔安装方式也使其便于集成到PCB设计中，适合大批量生产和自动化装配。

TMCS30E1E155MTF广泛应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。其主要应用领域包括工业电机驱动、逆变器、变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电能管理系统。在电机控制应用中，该模块可用于实现高效能的功率转换，提供稳定的输出性能。在太阳能逆变器中，由于其低导通损耗和良好的热管理能力，TMCS30E1E155MTF可以有效提高能源转换效率并延长系统寿命。此外，该模块也适用于各种工业自动化设备，如伺服驱动器和工业机器人，用于实现精确的功率控制和高可靠性运行。

TK155A15D, IRFP4668PBF, SiHP017NQ, STP30NM60ND