ME2129C535M5G 是一款高性能的存储芯片,采用先进的工艺制造,主要应用于需要大容量和高稳定性的数据存储场景。该芯片属于 NAND Flash 类型,支持高速数据传输,并具备低功耗特性,非常适合消费电子、工业控制以及嵌入式系统等领域的应用需求。
这款芯片具有较强的抗干扰能力和可靠性,在极端环境下也能保持稳定的性能表现。
容量:512Gb
接口类型:Toggle Mode 2.0
工作电压Vcc:2.7V~3.6V
核心电压Vccq:1.8V
数据传输速率:最高可达400MT/s
封装形式:BGA 169 Balls
工作温度范围:-25℃ to +85℃
擦写寿命:3000次(典型值)
ME2129C535M5G 提供了多种优越的技术特性,包括但不限于以下几点:
1. 高速读写能力,能够显著提升系统的整体性能。
2. 先进的 ECC 纠错技术,有效保证数据完整性与准确性。
3. 内置坏块管理功能,延长存储器使用寿命。
4. 支持多种命令集,便于与不同主控芯片兼容。
5. 采用小尺寸 BGA 封装,节省 PCB 空间,适合紧凑型设计需求。
6. 提供全面的保护机制,例如掉电保护、过流保护等,确保设备运行安全。
ME2129C535M5G 广泛适用于各种需要大容量存储的应用场景,如固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、内存卡(SD 卡、MicroSD 卡)、监控录像设备、网络存储设备(NAS)、汽车电子系统以及工业自动化设备等。此外,它也常被用于便携式消费类电子产品中,如平板电脑、智能电视盒等。
MX31LF1G18AC, W25Q128FVSG