时间：2025/8/2 7:17:00
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SQ2308ES-T1-GE3 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 TrenchFET 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件广泛应用于电源管理系统、负载开关、DC-DC 转换器以及电池供电设备中。该 MOSFET 采用小型化的 PowerPAK SC-70 封装，适合对空间要求较高的便携式电子设备。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：-30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：-4.4A
导通电阻(Rds(on))：35mΩ @ Vgs = -10V，50mΩ @ Vgs = -4.5V
功率耗散(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：PowerPAK SC-70
SQ2308ES-T1-GE3 具有低导通电阻，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其先进的 TrenchFET 技术确保了优异的热性能和电气性能，适用于高频开关应用。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 -4.5V 至 -10V 的驱动电压，从而兼容多种控制电路设计。
该 MOSFET 的封装形式 PowerPAK SC-70 具有较小的占板面积，适合空间受限的设计场景，同时其热阻较低，有助于提高散热效率。SQ2308ES-T1-GE3 还具备良好的抗静电能力（ESD），增强了器件在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。
此外，该器件符合 RoHS 环保标准，无铅封装设计，适用于绿色环保电子产品。其在低电压应用中表现出色，尤其适用于电池供电系统，如笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携设备中的电源管理模块。
SQ2308ES-T1-GE3 主要应用于各种电源管理电路，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关和电池保护电路。由于其低导通电阻和高效率特性，该器件在需要高效率和高功率密度的系统中表现优异。此外，该 MOSFET 也常用于便携式消费电子产品中的电源开关控制、电机驱动电路、LED 照明调光电路等应用场景。
在工业控制领域，SQ2308ES-T1-GE3 可用于 PLC 模块、传感器电源管理、工业自动化设备中的电源分配系统等。其优异的热性能和稳定的工作特性也使其适用于高温环境下的工业设备。在通信设备中，该器件可用于电源模块、射频功率放大器的偏置控制电路等应用。
Si2308DS, IRML2803, AO3401A, FDC6303
