时间：2025/8/6 9:08:20
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IXTH16P20 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种功率转换和开关应用。该器件采用 TO-220 封装，适用于高效率、高可靠性要求的电路设计。IXTH16P20 的最大漏源电压为 200V，最大漏极电流为 16A，具备较低的导通电阻和快速的开关特性。
最大漏源电压(Vds)：200V
最大漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：典型值 0.16Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V ~ 4.0V
最大功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
IXTH16P20 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。在高电流条件下，该 MOSFET 能够保持较低的导通压降，从而减少热量生成并提高可靠性。
此外，该器件具有快速的开关速度，适合用于高频开关应用。其短的开关时间有助于减少开关损耗，提高整体能效。同时，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下稳定运行。
IXTH16P20 采用了先进的制造工艺，确保其在高压和高电流条件下的稳定性和耐久性。该器件的栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路设计，适用于多种控制策略。
TO-220 封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热片上，确保在高功率应用中的稳定性。这种封装也便于手工焊接和自动化装配，适用于工业和消费类电子产品。
IXTH16P20 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、电池充电器、照明系统（如 HID 灯和 LED 驱动器）、逆变器以及各种工业自动化设备中。由于其高可靠性和优异的性能，该 MOSFET 也广泛应用于汽车电子系统和新能源领域。
IXTH16P20 可以替代的型号包括 IRF150、IRFP150 和 IXTH14P20。
