类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：20V
　　最大连续漏极电流(Id)：4.2A @ 25°C
　　导通电阻(Rds(on))：65mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on))：85mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-223

FXTA42SMTA具有多项优良特性，首先其采用先进的Trench沟槽结构，使得导通电阻更低，从而减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的栅极电荷(Qg)较低，有助于实现更快的开关速度，降低开关损耗，适合高频应用。此外，FXTA42SMTA的SOT-223封装具有良好的热性能，能够有效散热，在有限的空间内保持稳定运行。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，提高了器件在异常工作条件下的耐用性。同时，其低阈值电压(Vgs(th))特性使得该器件易于驱动，适用于多种控制电路。由于采用了先进的制造工艺，FXTA42SMTA具有优异的一致性和稳定性，适合用于高要求的工业和消费类电子产品。

FXTA42SMTA主要应用于各种电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池充电电路以及电机驱动器。由于其高效率和紧凑的SOT-223封装，特别适合空间受限的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及移动电源等。此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备、LED驱动器、电源管理模块和电源适配器等场景。

FXTA42SMTA可替代的型号包括FDMS3618、IRLML6401、Si4410BDY、NTMFS4C10N、FDS6610A等，具体替代时需根据实际电路需求进行验证。