时间：2025/8/5 17:09:08
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IXGX50N90B2D1是一款由Littelfuse（前身为IXYS Corporation）制造的双功率晶体管模块，采用两个N沟道MOSFET配置。该模块设计用于高功率应用，提供优异的导热性能和电气特性，适用于需要高效能和高可靠性的工业和电力电子系统。
类型：功率MOSFET模块
结构：双N沟道MOSFET
最大漏极电流：50A
漏源击穿电压：900V
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.15Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247双封装
热阻（Rth）：约0.5K/W
IXGX50N90B2D1具有优异的导通和开关性能，低导通电阻确保最小的功率损耗。该模块采用先进的硅技术，提供高耐压能力和过热保护特性。此外，其双MOSFET配置支持并联使用，以实现更高的电流处理能力。模块的封装设计优化了散热性能，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该器件具有良好的抗短路能力和高可靠性，适用于严苛的工业环境。
在电气性能方面，IXGX50N90B2D1具有低门极电荷（Qg）和低反向恢复电荷（Qrr），有助于提高开关效率并减少损耗。其快速开关特性使其适用于高频应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和电源供应器。此外，模块的封装设计提供了良好的绝缘性能，确保安全操作并减少电磁干扰（EMI）。
该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的工作状态，从而延长使用寿命。其封装结构支持快速安装到散热器上，提高了系统的热管理效率。
IXGX50N90B2D1广泛应用于各种高功率电子设备，包括工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电焊机和高频转换器。由于其优异的电气和热性能，该模块也适用于需要高可靠性和高效率的自动化控制和能源管理系统。
IXFX50N90B2D1, IXGN50N90B2D1
