容量：64Mbit
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SOIC-8
　　接口类型：SPI
　　最大时钟频率：80MHz
　　读取电流：8mA（典型值）
　　写入/擦除电流：15mA（典型值）
　　待机电流：10uA（典型值）
　　存储单元大小：256 字节/页
　　块大小：4KB、32KB、64KB
　　擦除周期：100,000 次（典型值）
　　数据保留：20 年

W25Q64JWSSAM 具备多种高性能特性，使其在嵌入式系统和存储应用中表现优异。首先，它支持高速 SPI 接口，最大时钟频率可达 80MHz，提供快速的数据读取能力，满足对速度要求较高的应用场景。其次，该芯片具有低功耗设计，在待机模式下的电流消耗仅为 10uA，非常适合对功耗敏感的设备，如便携式电子产品和电池供电系统。
　　该芯片的存储结构设计灵活，每个页面大小为 256 字节，支持 4KB、32KB 和 64KB 的块擦除操作，用户可以根据实际需求选择合适的擦除粒度，提升存储管理效率。此外，W25Q64JWSSAM 支持高达 100,000 次的擦写周期，数据可保留长达 20 年，确保了长期使用的可靠性。
　　为了增强数据安全性，W25Q64JWSSAM 提供硬件写保护功能，防止意外写入或擦除操作。它还支持 JEDEC 标准的制造商和设备 ID 识别，便于系统识别和管理。在封装方面，该芯片采用小型化的 8 引脚 SOIC 封装，适用于空间受限的设计，并具有良好的热稳定性和抗干扰能力。
　　W25Q64JWSSAM 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业级和汽车级应用环境，确保在极端温度条件下的稳定运行。

W25Q64JWSSAM 主要应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统，如工业控制设备、智能仪表、网络通信设备、安防监控系统、汽车电子模块等。在消费电子产品中，它常用于固件存储、数据记录、图形缓存等功能。此外，由于其低功耗和高可靠性，W25Q64JWSSAM 也适用于物联网（IoT）设备、穿戴式电子产品和智能家居设备等新兴应用领域。

MX25R6435FZNI-12G, SST25VF064C-100E/SN, EN25Q64AS16C