类型：MOSFET（双N沟道）
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.3A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(ON)）：28mΩ（典型值，@VGS=4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：0.5V~1.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：TDFN-8（3x3mm）

AP9965GEM-HF采用了先进的TrenchFET技术，具有非常低的导通电阻，这使得在高电流应用中功率损耗更小，从而提高了系统的整体效率。其双N沟道MOSFET结构使其非常适合用于H桥驱动、负载开关或同步整流等应用场景。由于其栅极电压范围为±12V，并且具有较低的阈值电压（0.5V~1.5V），因此可以与多种驱动器配合使用，包括低压逻辑控制器。此外，该器件采用TDFN-8（3x3mm）小型封装，具备良好的热性能，适合空间受限的设计。AP9965GEM-HF符合RoHS环保标准，适用于汽车电子、便携式设备、电源管理和DC-DC转换器等要求高性能和高可靠性的场合。
　　在热管理方面，该MOSFET具备较高的热稳定性，并在高负载条件下仍能保持良好的导通性能。其内部结构优化减少了开关损耗，有助于提高系统效率并降低发热。此外，AP9965GEM-HF具有良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下维持稳定运行。这使得它在电池供电系统、电动工具和智能电表等应用中表现优异。

AP9965GEM-HF广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于需要高效能和低功耗的场合。在便携式电子设备中，该器件可用于电源管理单元（PMU）中的开关元件，以实现高效的能量传输。此外，它还适用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明驱动器和电动助力转向系统（EPS）等。在工业自动化和智能电表中，AP9965GEM-HF可用于高精度电源控制和功率调节电路。

AO4406A, Si2302DS, BSS138K, FDS6675C, NTR4502P