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ESM3045DV 发布时间 时间:2023/2/28 13:55:26 查看 阅读:451

    制造商: STMicroelectronics

    产品种类: 达林顿晶体管

    配置: Single Dual Emitter

   

目录

概述

    制造商: STMicroelectronics

    产品种类: 达林顿晶体管

    配置: Single Dual Emitter

    晶体管极性: NPN

    封装 / 箱体: ISOTOP

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 450 V

    发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V

    峰值直流集电极电流: 24 A

    最大工作温度: + 150 C

    封装: Tube

    直流电流增益 hFE 最小值: 120(Typ) @ 20A @ 5V


资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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ESM3045DV参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭晶体管
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)24A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)450V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.4V @ 1.2A,20A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 20A,5V
  • 功率 - 最大125W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳ISOTOP
  • 供应商设备封装ISOTOP?
  • 包装管件