时间：2025/4/29 15:02:32
阅读：3
IRFIB41N15DPBF是一款由Infineon（英飞凌）生产的高压功率MOSFET芯片，采用N沟道增强型技术。该器件专为高频开关应用而设计，具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够满足工业、汽车以及消费类电子领域对高效能电源管理的需求。它通常用于DC-DC转换器、逆变器、电机驱动以及其他需要高性能开关的应用场景。
该型号中的后缀'DPBF'表明其封装形式为TO-264-3（也称为DPAK），并且经过了特定的工艺处理以提升可靠性和散热性能。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：8.7A
导通电阻（Rds(on)）：0.29Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：11nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间12ns，关断传播时间36ns
功耗：15W
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高击穿电压，适合高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻，减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，适用于高频电路。
4. 封装形式具备良好的散热性能，可有效降低热阻。
5. 优化的栅极驱动要求，简化了外围电路设计。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠性高。
1. DC-DC转换器中的功率开关元件。
2. 开关模式电源（SMPS）的主开关管。
3. 汽车电子系统中的负载控制和保护。
4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
5. 各种便携式设备的电池充电管理电路。
6. 电信电源及逆变器的核心功率组件。
IRFZ44N, IRF540N
