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439N 发布时间 时间:2025/8/24 7:31:10 查看 阅读:19

439N 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款晶体管设计用于高效率电源管理和功率转换应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等。439N 采用先进的沟槽技术,具备较低的导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,同时具备较低的开关损耗,使其适用于高频率开关应用。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流 (Id):2.6A
  漏源击穿电压 (Vds):30V
  栅源击穿电压 (Vgs):±20V
  导通电阻 (Rds(on)):最大 85mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷 (Qg):13nC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220AB

特性

439N MOSFET 采用先进的沟槽技术,具有非常低的导通电阻,在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高系统效率。此外,其低栅极电荷(Qg)特性有助于减少开关损耗,适用于高频开关应用。该器件的封装形式为 TO-220AB,具有良好的散热性能,能够承受较高的功率密度。439N 的栅极驱动电压范围较宽,可在 4.5V 至 20V 之间正常工作,便于与各种驱动电路兼容。此外,该器件具有较高的热稳定性,适用于严苛的工作环境。439N 还具备较高的短路耐受能力,能够在短时间过载条件下保持稳定运行,提高系统的可靠性。

应用

439N MOSFET 广泛应用于各种电源管理及功率控制电路中。在开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中,它可用于高效的能量转换和稳压控制。在负载开关应用中,439N 可作为高侧或低侧开关,实现对负载的快速通断控制。此外,它还可用于马达驱动电路、LED 驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化控制系统中的功率开关元件。

替代型号

Si444N, IRFZ44N, FDPF444N, STP40NF03L

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