时间：2025/8/24 7:31:10
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439N 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管设计用于高效率电源管理和功率转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等。439N 采用先进的沟槽技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，同时具备较低的开关损耗，使其适用于高频率开关应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：2.6A
漏源击穿电压 (Vds)：30V
栅源击穿电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：最大 85mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷 (Qg)：13nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220AB
439N MOSFET 采用先进的沟槽技术，具有非常低的导通电阻，在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。此外，其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。该器件的封装形式为 TO-220AB，具有良好的散热性能，能够承受较高的功率密度。439N 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，便于与各种驱动电路兼容。此外，该器件具有较高的热稳定性，适用于严苛的工作环境。439N 还具备较高的短路耐受能力，能够在短时间过载条件下保持稳定运行，提高系统的可靠性。
439N MOSFET 广泛应用于各种电源管理及功率控制电路中。在开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中，它可用于高效的能量转换和稳压控制。在负载开关应用中，439N 可作为高侧或低侧开关，实现对负载的快速通断控制。此外，它还可用于马达驱动电路、LED 驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统中的功率开关元件。
Si444N, IRFZ44N, FDPF444N, STP40NF03L
