STB57N65M5 时间：2025/7/23 1:25:04 阅读：7

STB57N65M5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为需要高效率和高功率密度的电源应用而设计，例如电源转换器、逆变器和电机控制电路。STB57N65M5 采用了先进的超结（SJ）技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)）和优秀的开关性能，使其在高频操作下具有出色的能效。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：57A
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.055Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：典型值约95nC
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

STB57N65M5 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能。首先，其超低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用了先进的SJ技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，使其适用于高频开关电源应用。
　　此外，STB57N65M5 的封装形式为 TO-263（D2PAK），这种表面贴装封装提供了良好的热管理和机械稳定性，便于在高功率密度的 PCB 设计中使用。该封装还具备良好的散热性能，确保在高负载条件下器件的稳定运行。
　　在可靠性方面，STB57N65M5 的设计符合严格的工业标准，具备高耐压能力和抗过载能力，适用于各种恶劣工作环境。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于高温应用，如工业电源、服务器电源和新能源设备。

应用

STB57N65M5 主要用于各种高功率、高效率的电源管理系统和电力电子设备中。常见应用包括 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路、UPS（不间断电源）、电机驱动器和变频器等。
　　在新能源领域，STB57N65M5 可用于太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电模块等应用，其高效率和高可靠性有助于提升系统的整体性能和稳定性。
　　此外，该器件也适用于家用电器中的电源管理模块，如空调、洗衣机和电冰箱等，为这些设备提供高效、稳定的电源支持。