时间：2025/11/8 8:30:39
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RS1E200BNTB是一款由华润微电子（CR Micro）生产的超快恢复整流二极管，广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器等电力电子设备中。该器件采用先进的平面硅扩散工艺制造，具有优良的热稳定性和可靠性。其主要特点是具备较低的正向导通压降和快速的反向恢复时间，能够在高频工作条件下有效降低开关损耗，提升系统整体效率。RS1E200BNTB属于表面贴装型SMA（DO-214AC）封装，适合自动化贴片生产，节省PCB空间并提高组装效率。该二极管额定重复峰值反向电压为200V，平均正向整流电流为1A，适用于中小功率电源适配器、LED驱动电源、消费类电子产品以及工业控制设备中的整流与续流应用。由于其出色的电气性能和紧凑的封装形式，RS1E200BNTB在现代高效能、小型化电源设计中具有重要地位。
型号：RS1E200BNTB
器件类型：超快恢复整流二极管
封装形式：SMA (DO-214AC)
平均正向整流电流(IF(AV))：1A
重复峰值反向电压(VRRM)：200V
非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)：30A (单个半波)
最大正向导通压降(VF)：1.5V @ IF=1A, TJ=25°C
反向恢复时间(trr)：35ns
最大反向漏电流(IR)：5μA @ VR=200V, TJ=25°C
工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
RS1E200BNTB的核心优势在于其优异的开关特性和高效的能量转换能力。该器件采用超快恢复技术，反向恢复时间（trr）典型值仅为35ns，远低于普通整流二极管，这使其在高频开关电路中能够显著减少因反向恢复过程引起的开关损耗和电磁干扰（EMI），从而提升电源系统的整体效率和稳定性。同时，其较短的反向恢复时间还能有效防止在同步整流或桥式拓扑中出现“直通”现象，增强系统可靠性。
在正向导通方面，RS1E200BNTB在1A电流下的最大正向压降为1.5V，表现出较低的导通损耗，有助于降低温升并提高能效。这一特性在小功率AC-DC适配器和高密度电源模块中尤为重要。此外，该器件具备良好的热稳定性，可在高达+150°C的结温下长期工作，确保在高温环境下仍保持可靠运行。
RS1E200BNTB采用SMA塑料封装，符合RoHS环保标准，具备良好的机械强度和散热性能。该封装便于自动化贴片安装，适用于回流焊工艺，满足现代电子制造对高效率、高良率的要求。器件还具有较高的浪涌电流承受能力（IFSM=30A），可应对瞬态过载情况，如开机冲击电流，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。
总体而言，RS1E200BNTB凭借其快速恢复、低导通损耗、高可靠性及紧凑封装，成为中小功率开关电源中理想的续流、整流和钳位二极管解决方案。
RS1E200BNTB广泛应用于各类中小功率电力电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，常用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）等拓扑结构中的输出整流或辅助绕组整流，尤其适用于手机充电器、笔记本适配器、路由器电源等消费类电子产品。
在LED照明驱动电源中，该器件可用于次级侧整流或作为续流二极管，帮助实现高效率和长寿命设计。此外，在DC-DC转换器中，RS1E200BNTB可作为BUCK或BOOST电路中的续流二极管，利用其快速恢复特性降低开关节点振铃和能量损耗。
工业控制设备中的隔离电源模块、传感器供电单元、继电器驱动电路等也常采用此类超快恢复二极管以提高响应速度和系统稳定性。在逆变器和UPS不间断电源中，它可用于保护电路或作为箝位元件抑制感应电压尖峰。
由于其表面贴装封装和高可靠性，RS1E200BNTB特别适合对空间敏感且要求长期稳定运行的应用场景，是现代绿色节能电源设计中的关键元器件之一。
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