时间：2023/3/7 14:15:17
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晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:1.4A
电压, Vds 最大:600V
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:1.4A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):7ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:36W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:I-PAK
功率, Pd:36W
封装类型:I-PAK
封装类型, 替代:I-PAK
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:1.4A
电流, Idm 脉冲:5.6A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
| 厂商 |
|---|
| VISHAY |
