时间：2025/9/14 2:25:13
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BUK964R2-55B,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率的开关应用而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等领域。其低导通电阻和优良的热性能使其在高电流应用中表现出色。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：55V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：150A
导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
引脚数：3
BUK964R2-55B,118 具备多项优良特性，适用于高要求的功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具有高电流承载能力，能够支持高达150A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，其TO-263（D2PAK）封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的12V和10V驱动电路，确保了其在不同驱动条件下的稳定运行。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其能够在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。
BUK964R2-55B,118 还具备优异的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过压情况下的耐用性。这种坚固的结构设计使其在电源开关、马达控制和电池供电系统中表现出色。
BUK964R2-55B,118 广泛应用于多个高功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、工业电源、电动工具、电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）的功率控制系统等。
在DC-DC转换器中，BUK964R2-55B,118 用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压，其低导通电阻和高开关速度有助于提高转换效率并减小电源模块的体积。在电池管理系统中，该MOSFET用于控制电池的充放电过程，确保电池组的安全运行。
此外，该器件也适用于高电流负载开关，例如在服务器、存储设备和电信设备中，用于控制电源的通断并提供过载保护。在电动工具和电动汽车应用中，BUK964R2-55B,118 可用于电机驱动和能量回收系统，提供高效率和高可靠性。
IPB180N06N3 G, STP150N55FZ, FDP150N55F, IRF150
