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IXFX260N17T 发布时间 时间:2025/8/6 6:54:15 查看 阅读:28

IXFX260N17T 是一款由 IXYS 公司制造的高功率双极型晶体管(BJT),主要用于需要高电流和高电压处理能力的工业和电力电子应用中。该晶体管属于 NPN 类型,具有较高的电流增益和良好的热稳定性,适合用于电机控制、电源转换以及各种高功率开关应用中。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCE):1700V
  最大集电极电流(IC):260A
  最大功耗(PD):420W
  电流增益(hFE):50-150(取决于工作条件)
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

IXFX260N17T 晶体管以其卓越的性能和可靠性著称。其主要特性之一是其高电压和高电流的处理能力,这使得它非常适合用于高功率应用。该晶体管设计有良好的热管理特性,能够在较高的工作温度下保持稳定性能,从而延长器件的使用寿命。此外,IXFX260N17T 还具有较低的饱和压降(VCEsat),这有助于减少功率损耗并提高系统的整体效率。其封装设计便于安装和散热,适用于各种工业环境。
  在电气特性方面,IXFX260N17T 提供了优良的电流增益(hFE),使其能够在较低的基极电流下控制较大的集电极电流,从而实现高效的开关操作。这种特性在需要快速开关的应用中尤为重要,如电源供应器和逆变器设计。此外,该晶体管还具有良好的短路和过载保护能力,进一步增强了其在严苛工作条件下的可靠性。

应用

IXFX260N17T 主要应用于高功率电子设备中,如电机驱动器、工业电源、焊接设备、不间断电源(UPS)、逆变器以及各种需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统。其优良的电气特性和可靠性使其成为许多工业和商业应用中的首选晶体管。

替代型号

IXGX260N170T, IXFX240N17T

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IXFX260N17T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列GigaMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)170V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C260A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs400nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds24000pF @ 25V
  • 功率 - 最大1670W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件