时间：2025/9/15 0:06:08
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PMV50ENEAR是一款由Nexperia（原飞利浦半导体业务分拆公司）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的Trench MOS技术，具有低导通电阻、高电流能力和优异的热稳定性。PMV50ENEAR适用于各类电源管理电路，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等。该MOSFET采用无铅封装，符合RoHS环保标准。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：5.0A
导通电阻(Rds(on))：50mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on))：65mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：DFN2020BD-8
PMV50ENEAR MOSFET具备多项优异特性，适用于高要求的功率管理应用。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为50mΩ，在Vgs=4.5V时也仅为65mΩ，这意味着即使在较低的驱动电压下，该器件仍能保持良好的导通性能，适用于低电压驱动的系统设计。
其次，该器件采用先进的Trench MOS技术，提升了单位面积内的电流承载能力，同时优化了开关性能，降低了开关损耗。这使其在高频开关应用中表现出色，例如开关电源（SMPS）和同步整流器。
此外，PMV50ENEAR具有较高的热稳定性与功率耗散能力，额定功率为2.5W，在适当的散热设计下可支持较高的连续工作电流（最大5.0A）。其封装形式为DFN2020BD-8，尺寸紧凑，适用于高密度PCB布局，同时具备良好的热传导性能。
该器件还具有良好的栅极稳定性，最大栅源电压为±20V，增强了抗干扰能力，适用于复杂电磁环境下的工业控制和汽车电子应用。
最后，PMV50ENEAR符合RoHS标准，采用无铅封装，适用于自动化贴片生产工艺，符合现代电子产品环保与自动化生产的需求。
PMV50ENEAR广泛应用于多种功率电子系统中。
在电源管理领域，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统中，其低导通电阻和高效率特性有助于提高能量转换效率，延长电池寿命。
在电机控制和驱动电路中，PMV50ENEAR可用于H桥电路或PWM调速控制，适用于小型电机、风扇、泵等设备的驱动。
该器件也适用于工业自动化设备中的功率开关，如PLC模块、传感器电源控制、继电器替代方案等，其高可靠性和紧凑封装使其在空间受限的工业控制系统中具有优势。
此外，PMV50ENEAR还可用于消费类电子产品，如智能家电、便携式设备、电源适配器等，满足高效能、小体积的设计需求。
由于其良好的热性能和封装设计，PMV50ENEAR也可用于汽车电子中的辅助电源管理模块、车载充电系统以及车载娱乐系统等应用。
PMV50ENEA, PMV48ENEAR, PMV50UNEAR, BUK9M52-40A, AO4800
