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IRFB4212PBF 发布时间 时间:2025/7/12 15:58:34 查看 阅读:13

IRFB4212PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于各种功率转换电路中。
  该器件的封装形式为 PQFN3333-19,适用于表面贴装工艺,能够显著减少寄生电感的影响,从而提升系统效率和可靠性。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:86A
  导通电阻(典型值):0.7mΩ
  栅极电荷:40nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

IRFB4212PBF 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 0.7mΩ,能够显著降低功率损耗。
  2. 高电流处理能力,支持高达 86A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  3. 快速开关性能,栅极电荷低至 40nC,有助于提高工作效率并减少电磁干扰。
  4. 采用 PQFN3333-19 封装,具备出色的热性能和电气性能,同时支持高效的表面贴装工艺。
  5. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 175℃),确保在极端环境下的可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备设计要求。

应用

IRFB4212PBF 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电动工具、电机驱动器以及其他需要高效功率控制的应用。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 新能源汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
  5. 大功率 LED 驱动电路以及 DC-DC 转换器等。

替代型号

IRFB4110TRPBF, IRFB4112PBF

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IRFB4212PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C72.5 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds550pF @ 50V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件