IRFB4212PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于各种功率转换电路中。
该器件的封装形式为 PQFN3333-19,适用于表面贴装工艺,能够显著减少寄生电感的影响,从而提升系统效率和可靠性。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:86A
导通电阻(典型值):0.7mΩ
栅极电荷:40nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
IRFB4212PBF 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 0.7mΩ,能够显著降低功率损耗。
2. 高电流处理能力,支持高达 86A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能,栅极电荷低至 40nC,有助于提高工作效率并减少电磁干扰。
4. 采用 PQFN3333-19 封装,具备出色的热性能和电气性能,同时支持高效的表面贴装工艺。
5. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 175℃),确保在极端环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备设计要求。
IRFB4212PBF 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电动工具、电机驱动器以及其他需要高效功率控制的应用。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 新能源汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
5. 大功率 LED 驱动电路以及 DC-DC 转换器等。
IRFB4110TRPBF, IRFB4112PBF