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1N5819M-13 发布时间 时间:2025/12/26 11:33:58 查看 阅读:8

1N5819M-13是一种表面贴装肖特基势垒二极管,广泛应用于低压、高频整流场合。该器件采用SMA封装(DO-214AC),具有较小的封装尺寸,适合高密度PCB布局。其主要特点是低正向压降和快速开关响应,这使得它在效率敏感的应用中表现优异,例如开关电源、逆变器和极性保护电路。1N5819M-13由多家半导体制造商生产,如Diodes Incorporated、ON Semiconductor等,符合工业标准的可靠性要求,并具备良好的热稳定性与抗浪涌能力。
  该二极管的额定平均整流电流为1A,最大反向重复电压为40V,典型正向压降在1A时约为0.45V至0.6V之间,显著低于传统硅PN结二极管。由于其肖特基结构基于金属-半导体接触,因此不存在少数载流子存储效应,从而实现了极快的反向恢复时间(通常小于10ns),适用于高频工作环境。此外,该器件通过了RoHS合规认证,支持无铅焊接工艺,适应现代环保制造需求。

参数

型号:1N5819M-13
  封装类型:SMA (DO-214AC)
  是否无铅:是
  是否符合RoHS:是
  极性:双端器件(阳极/阴极)
  安装方式:表面贴装
  最大重复峰值反向电压(VRRM):40V
  最大直流阻断电压(VR):40V
  最大有效值电压(VRMS):28V
  最大平均整流电流(IO):1A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):25A(@8.3ms半波)
  最大正向压降(VF):1.0V @ 1A, 25°C
  典型正向压降(VF):0.45V ~ 0.6V @ 1A, 25°C
  最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 40V, 25°C;500μA @ 40V, 125°C
  工作结温范围(TJ):-65°C ~ +125°C
  储存温度范围(TSTG):-65°C ~ +150°C
  热阻抗(RθJA):约150°C/W(依PCB布局而定)
  反向恢复时间(trr):<10ns

特性

1N5819M-13的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构,这种结构利用金属与N型半导体之间的势垒形成单向导电性,避免了传统PN结中存在的少数载流子注入与复合过程,从而极大缩短了开关转换时间。其反向恢复时间通常小于10纳秒,在高频开关电源中可显著降低开关损耗,提高整体系统效率。相比普通整流二极管如1N400x系列,1N5819M-13不仅速度更快,而且正向导通压降低,典型值在0.45V至0.6V之间,这意味着在相同负载电流下功耗更低,发热量更小,有利于提升能效并减少散热设计负担。
  该器件具备1A的持续整流电流能力以及高达25A的非重复浪涌电流承受能力,使其能够在瞬态负载或启动冲击条件下稳定运行。其最大反向电压为40V,适用于多种低压直流系统,如12V、24V电源轨中的续流、防反接和OR-ing应用。SMA封装形式便于自动化贴片生产,具有良好的机械强度和热传导性能,配合适当的PCB铜箔面积设计,可有效改善散热效果。
  在环境适应性方面,1N5819M-13的工作结温范围为-65°C至+125°C,可在严苛工业环境中可靠工作。同时,该器件具有较低的反向漏电流,在常温下不超过500μA,高温环境下也控制在合理范围内,确保待机功耗不会显著上升。由于其高频响应特性,常被用于DC-DC转换器中的输出整流、太阳能充电控制器、电池管理系统以及消费类电子设备中的电源路径管理模块。

应用

1N5819M-13因其低正向压降和快速响应特性,被广泛应用于各类需要高效整流的低压直流电路中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流,尤其是在反激式、正激式和同步整流拓扑中作为自由轮转二极管或输出整流元件使用。它也常用于直流适配器、USB供电设备、LED驱动电源以及小型逆变器中,以提高能量转换效率并减少发热问题。
  另一个重要应用场景是电源极性反接保护电路。当连接外部电源时,若用户误将正负极接反,1N5819M-13可以阻止电流倒灌,从而保护后续电路不受损坏。此外,在多个电源输入选择逻辑(如VIN_SEL)中,该二极管可用于构建“二极管OR”架构,实现冗余供电或主备切换功能,例如在主电源掉电时自动切换到备用电池供电。
  在便携式电子产品中,如移动电源、蓝牙音箱、智能家居设备中,1N5819M-13用于电池充放电路径管理、太阳能板输出整流以及防止电池反向放电。由于其SMA封装体积小巧,非常适合空间受限的设计。此外,在汽车电子辅助系统(如车载充电器、行车记录仪)中也有应用,但需注意其最大反向电压限制,不适合直接接入12V汽车总线未经稳压的情况。
  其他应用还包括信号解调、钳位电路、TVS前级保护缓冲以及高频脉冲整流等场景。由于其快速响应能力,也能在某些数字电路中用作高速开关元件。总之,1N5819M-13是一款通用性强、性价比高的表面贴装肖特基二极管,适用于广泛的民用、工业及消费类电子领域。

替代型号

SS14
  MBR140
  SB140
  1N5819WS
  AP1N5819SG-13
  SMS140

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1N5819M-13参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)40V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)600mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1mA @ 40V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳MELF(DL-41)
  • 供应商设备封装MELF
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称1N5819MCT1N5819MCT-ND1N5819MDICT