时间：2025/5/24 13:29:30
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GA1206A3R3DBABR31G 是一款由 GeneSiC 半导体公司生产的碳化硅 (SiC) 基肖特基二极管。该器件具有高效率、高速开关和低功耗的特点，适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及其他功率电子应用。由于采用了先进的 SiC 技术，该器件在高温和高压条件下仍能保持稳定性能。
最大正向电压：1200V
最大反向电流：6A
典型正向压降：1.3V
反向恢复时间：<50ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA1206A3R3DBABR31G 的主要特性包括高耐压能力（1200V），能够在高频条件下实现快速开关操作，同时具备较低的正向压降以减少能量损耗。
其采用碳化硅材料，使得该器件在高温环境下表现优异，并且可以承受更高的结温。
此外，它还拥有非常短的反向恢复时间（小于50纳秒），从而降低了开关过程中的振荡和电磁干扰问题。
整体设计紧凑，封装形式为 TO-247-2L，便于散热和集成到各种功率电路中。
该型号广泛应用于工业及消费类电子领域，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电设备、电机驱动器等需要高效功率转换的场合。
凭借其卓越的电气性能和热稳定性，这款二极管特别适合那些对可靠性和效率要求较高的应用场景，例如数据中心服务器供电单元或通信基站电源系统。
GA1206A3R3DBABR21G
GA1206A3R3DBABR41G
