类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：100W

LRC8804AT1G 具备多项优异的电气和热性能，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），典型值为 4.5mΩ，这使得在高电流工作状态下，MOSFET 的导通损耗大幅降低，从而提高整体系统的效率。
　　其次，该器件的最大漏源电压为 30V，最大连续漏极电流可达 120A，具有较强的功率处理能力，适用于高功率密度设计。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，采用 TO-252 封装，散热性能良好，适用于高工作温度环境。栅源电压容限为 ±20V，具有一定的过压保护能力。
　　此外，LRC8804AT1G 的开关特性表现优异，具有快速的开关响应时间和较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。
　　该器件还具备较高的可靠性和稳定性，符合 RoHS 环保标准，适合在工业、汽车电子等多种应用场景中使用。

LRC8804AT1G 广泛应用于各类功率电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。在服务器电源、通信电源、笔记本电脑适配器等高效率电源系统中，该 MOSFET 可用于主开关或同步整流元件，提升整体能效。同时，其高电流承载能力和低导通电阻也使其成为高性能电机控制和电动工具的理想选择。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、起停系统、LED 车灯驱动等应用场景。

Si4406DY-T1-GE3, IRF1404, AO4406A, STB120N3LLH6