CS75N75是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件以其高效率和良好的热性能著称,适用于需要高电流和高电压的应用场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):75A
最大漏源电压(VDS):75V
导通电阻(RDS(on)):约5mΩ
封装类型:TO-263(D2PAK)
CS75N75具有低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率。其高电流容量和耐高压能力使其适用于高功率应用。此外,该MOSFET采用TO-263封装,提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。器件的快速开关特性进一步提升了其在高频应用中的性能,减少了开关损耗。CS75N75还具有较高的可靠性和耐用性,适合在恶劣环境下使用。
CS75N75常用于DC-DC转换器、电机控制器、电源管理系统以及各种高功率电子设备中。其高效的能量转换能力使其成为电源设计中的理想选择,特别是在需要高电流和高效率的应用中。此外,该器件也适用于电池供电设备、汽车电子系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。
IRF1405, STP75NF75, FDP75N75