时间：2025/6/29 13:47:05
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IRF7309QTRPBF 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沘尔场效应晶体管（NMOS），专为汽车电子应用设计。该器件采用 PQFN5x6-8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种汽车级功率管理场景。
该 NMOS 器件通过了 AEC-Q101 认证，确保其能够在严苛的汽车环境中可靠运行。它通常被用于负载开关、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率控制的应用中。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：23A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：47nC
工作温度范围：-40℃ 至 175℃
封装类型：PQFN5x6-8
IRF7309QTRPBF 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，能够满足大功率应用的需求。
3. 快速开关性能，减少开关损耗。
4. 符合汽车级标准，具备高可靠性和耐久性。
5. 小型 PQFN 封装，节省 PCB 空间。
6. 宽工作温度范围，适应各种极端环境条件。
IRF7309QTRPBF 广泛应用于汽车电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 汽车 DC-DC 转换器中的同步整流开关。
2. 电动助力转向系统 (EPS) 和其他电机驱动电路。
3. 负载开关，用于保护下游电路免受过流或短路影响。
4. 汽车照明系统的功率控制。
5. 各种电池管理系统 (BMS) 中的功率开关组件。
6. 汽车音响和其他车载娱乐设备中的电源管理部分。
BSC016N04LS G, IRF7308QTRPBF
