时间：2025/6/17 19:14:11
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GA1210A561JXCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的电子设备中。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著降低功耗并提高系统效率。
型号：GA1210A561JXCAR31G
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-247
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：56A
最大脉冲漏极电流(Ip)：180A
导通电阻(Rds(on))：0.025Ω
总栅极电荷(Qg)：120nC
输入电容(Ciss)：4000pF
输出电容(Coss)：150pF
反向传输电容(Crss)：45pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
GA1210A561JXCAR31G 采用最新一代的硅基技术制造，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在大电流应用中减少功率损耗。
2. 高耐压能力（1200V），适用于高压工业场合。
3. 快速开关性能，优化了动态损耗，适合高频应用。
4. 具备强大的热稳定性，能在极端温度条件下保持优异性能。
5. 内置保护功能，例如过流保护和短路保护，提高了系统的可靠性和安全性。
6. 封装形式为 TO-247，便于散热设计和安装操作。
该芯片适用于多种电力电子领域，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）设计，用于提升转换效率。
2. 太阳能逆变器的核心功率器件，提供高效能量转换。
3. 工业电机驱动控制，支持大功率负载运行。
4. 电动汽车充电桩的功率模块，满足快速充电需求。
5. 不间断电源（UPS）系统中的功率管理组件。
6. 各类高压直流-直流转换器和交流-直流转换器的应用场景。
GA1210A561JXCAR31H, IRFP260N, STW120N12MD2
