时间：2025/8/1 4:35:00
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JB5DS06MN11N是一款由东芝（Toshiba）制造的MOSFET模块，广泛应用于高功率电子设备中。该模块集成了多个MOSFET晶体管，具有高效能和高可靠性的特点，适用于工业电机驱动、电动汽车、太阳能逆变器等高要求的功率转换场景。
类型：MOSFET模块
额定电压：600V
额定电流：11A
导通电阻：典型值为2.7Ω
封装类型：双列直插式（DIP）
工作温度范围：-55°C至150°C
最大耗散功率：150W
JB5DS06MN11N具备低导通电阻特性，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其优化的封装设计提供了优异的热管理和机械稳定性，确保在恶劣工作环境下的可靠性。此外，该模块采用了先进的MOSFET技术，实现了快速开关性能，减少了开关损耗，并提高了整体能效。内置的保护功能包括过热保护和短路保护，进一步增强了设备的安全性和寿命。
该模块常用于工业电机驱动器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及各种高功率电源管理系统中。在这些应用中，JB5DS06MN11N能够提供高效、稳定的功率转换性能，满足高要求的工业和汽车应用需求。
TK15A60D, STP12NM60ND, IRFPC50
