时间：2025/9/1 21:14:09
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GM76C256CLLET70是一款低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为256Kbit，组织方式为32K x 8。该器件适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景，如便携式设备、通信设备和工业控制系统。
类型：静态RAM（SRAM）
容量：256 Kbit
组织结构：32K x 8
电源电压：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
访问时间：70ns
封装形式：TSOP
引脚数量：28
读取电流（最大）：160mA
待机电流（最大）：10mA
CMOS工艺确保了低功耗和高噪声抗扰度。
该SRAM器件具有高速访问能力，访问时间为70ns，适用于对性能要求较高的系统。
宽电压范围（2.3V至3.6V）支持多种电源配置，提高了设计的灵活性。
工作温度范围宽（-40°C至+85°C），适合在各种环境条件下运行。
采用TSOP封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。
支持工业级可靠性标准，确保在严苛环境中稳定工作。
低待机电流（最大10mA）有助于延长电池供电设备的续航时间。
该存储器广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、数据采集系统、网络设备和消费类电子产品中。例如，GM76C256CLLET70可以作为缓存存储器用于微控制器系统，也可以用于存储临时数据或程序代码。其低功耗和高速特性使其成为便携式设备（如手持终端、传感器节点）的理想选择。此外，在通信模块中，该器件可用于缓冲数据传输，提高系统的整体性能。
IS62WV2568ALLBLL-70NLI, CY62148EALL1-70B, A290001-70
