GM76C256CLLET70是一款低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为256Kbit,组织方式为32K x 8。该器件适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景,如便携式设备、通信设备和工业控制系统。
类型:静态RAM(SRAM)
容量:256 Kbit
组织结构:32K x 8
电源电压:2.3V至3.6V
工作温度范围:-40°C至+85°C
访问时间:70ns
封装形式:TSOP
引脚数量:28
读取电流(最大):160mA
待机电流(最大):10mA
CMOS工艺确保了低功耗和高噪声抗扰度。
该SRAM器件具有高速访问能力,访问时间为70ns,适用于对性能要求较高的系统。
宽电压范围(2.3V至3.6V)支持多种电源配置,提高了设计的灵活性。
工作温度范围宽(-40°C至+85°C),适合在各种环境条件下运行。
采用TSOP封装,体积小巧,适合高密度PCB布局。
支持工业级可靠性标准,确保在严苛环境中稳定工作。
低待机电流(最大10mA)有助于延长电池供电设备的续航时间。
该存储器广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、数据采集系统、网络设备和消费类电子产品中。例如,GM76C256CLLET70可以作为缓存存储器用于微控制器系统,也可以用于存储临时数据或程序代码。其低功耗和高速特性使其成为便携式设备(如手持终端、传感器节点)的理想选择。此外,在通信模块中,该器件可用于缓冲数据传输,提高系统的整体性能。
IS62WV2568ALLBLL-70NLI, CY62148EALL1-70B, A290001-70