PESD24VS4UD,115 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)推出的静电放电(ESD)保护二极管阵列,专为高速数据线路设计,提供高效的过压保护。该器件采用DFN1010封装,适用于USB、HDMI、DisplayPort等高速接口,能够有效吸收静电放电和瞬态电压,防止敏感电子元件受到损坏。其低电容特性确保了信号完整性,非常适合用于便携式消费电子产品和通信设备。
型号: PESD24VS4UD,115
制造商: NXP Semiconductors
封装类型: DFN1010
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
最大工作电压: 24V
钳位电压(最大值): 33V
反向截止电压: 24V
峰值脉冲电流(8/20μs): 3A
电容(典型值): 0.45pF
引脚数: 6
PESD24VS4UD,115 的核心特性在于其卓越的ESD保护能力,符合IEC 61000-4-2标准,可承受高达±30kV的静电放电。该器件采用双向保护结构,适用于差分信号线和单端信号线,能够有效防止正负方向的过电压冲击。
此外,其极低的结电容(0.45pF)确保了在高速数据传输过程中不会对信号完整性造成影响,非常适合用于USB 3.0、HDMI 1.4和DisplayPort等高频接口。PESD24VS4UD,115还具备极低的漏电流(通常小于1nA),在正常工作条件下几乎不会影响电路功耗。
该器件采用小型DFN1010封装,占用PCB空间小,适合高密度布局。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种恶劣工作环境。PESD24VS4UD,115的钳位电压较低,能够在瞬态电压事件中快速响应并限制电压,从而保护下游IC免受损坏。
PESD24VS4UD,115 主要应用于高速数据通信接口的静电保护,包括USB 3.0、HDMI、DisplayPort、LVDS、eSATA等接口。在智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数字电视和机顶盒等消费类电子产品中,该器件常用于保护高速数据线路免受静电放电和瞬态电压的影响。
此外,PESD24VS4UD,115还可用于工业控制设备、汽车电子系统、通信基站和网络设备中的信号线保护。其低电容特性使其特别适合用于高速信号传输环境,确保数据完整性不受影响。在汽车应用中,该器件可用于保护车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)中的高速接口。
由于其小型封装和高可靠性,PESD24VS4UD,115也被广泛用于可穿戴设备和物联网(IoT)设备中,提供高效的ESD保护,延长设备使用寿命。
PESD24VS4UC,115; PESD24VS4BA,115; PESD24VS4UC; PESD24VS4BA