时间：2025/4/30 19:28:23
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L2N7002WT1G 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关速度，适合用于各种功率转换和开关应用。其封装形式为 SOT-23 封装，适用于空间受限的设计。L2N7002WT1G 的工作电压范围较宽，能够满足多种不同的电路需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：0.26A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻（典型值）：2.9Ω
功耗：0.28W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
L2N7002WT1G 具有较低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
它还具有非常短的开关时间，确保在高频操作时性能优异。
由于采用了 SOT-23 封装，该器件非常适合用于便携式设备和其他对尺寸敏感的应用场景。
此外，其高雪崩能力和稳健的热性能使得 L2N7002WT1G 在严苛条件下也能可靠运行。
L2N7002WT1G 广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动器以及背光 LED 驱动等领域。
它也可以用作电池保护开关或信号电平转换。
在消费电子领域中，比如智能手机和平板电脑，这款 MOSFET 常被用来实现高效的功率转换和控制功能。
L2N7002TR1G, BSS138
