时间：2025/8/9 4:11:07
阅读：11
FMW30N60S1FDHF 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制以及 LED 照明系统。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，能够在高温和高负载条件下稳定工作。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：30A
导通电阻 Rds(on)：最大 0.15Ω
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（Ptot）：150W
FMW30N60S1FDHF 具备多项优异的电气和热性能特性。其采用先进的沟槽式结构设计，有效降低了导通电阻 Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件的漏源击穿电压高达 600V，能够承受较高的电压应力，适用于高电压输入环境下的功率转换应用。
此外，该 MOSFET 的连续漏极电流可达 30A，在适当的散热条件下可以支持较高的负载能力。其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容主流的驱动电路设计，便于集成。该器件还具有良好的热稳定性，工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适应各种严苛的工业环境。
FMW30N60S1FDHF 广泛应用于多种电源和功率控制领域。在开关电源（SMPS）中，该器件可作为主开关管使用，用于 AC-DC 转换和 DC-DC 转换，提供高效率和稳定输出。在电机驱动系统中，该 MOSFET 可用于 H 桥电路中的功率开关，实现电机的正反转控制和调速功能。
FQA30N60C FCP30N60S3 FDPF30N60FS
