STK8BA22是由日本Sanken Electric公司生产的一款N沟道功率MOSFET。这款芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及各种需要高效开关的电路中。其设计注重低导通电阻和快速开关性能,能够在高频条件下保持较高的效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:55A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:95nC
总功耗:170W
工作温度范围:-55℃至150℃
STK8BA22具有非常低的导通电阻(仅1.4mΩ),这使其在大电流应用中能够显著降低功率损耗。
此外,该器件还拥有较快的开关速度,栅极电荷仅为95nC,有助于提高系统的工作频率并减少开关损耗。
它的额定电流高达55A,并且能够在较宽的温度范围内稳定工作,适应于工业和汽车等恶劣环境的应用场景。
同时,它采用了TO-247封装形式,便于散热和安装,进一步增强了其在高功率场景中的适用性。
STK8BA22适合用于需要处理大电流和高效率的场合,例如:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 电动车辆(EV)和混合动力车辆(HEV)中的电机控制器
3. 工业用逆变器
4. 高端音频功率放大器
5. 大功率LED驱动器
这些应用领域都要求高效的功率转换和低热损耗,而STK8BA22凭借其出色的电气性能恰好满足这些需求。
IRFP260N
STP55NF06L
FDP15U60A
IXFK50N06T2