时间：2025/9/2 4:48:17
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HY57V281620HCLT-7I 是一颗由Hynix（现为SK Hynix）生产的16位宽、256MB容量的DRAM芯片，属于异步SRAM（Static Random Access Memory）类别。该芯片采用CMOS工艺制造，具有高速访问时间和低功耗特性，适用于需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等场景。该器件采用TSOP封装，适用于标准的表面贴装工艺，工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），适合在严苛环境中使用。
容量：256K x 16位
类型：异步SRAM
访问时间：7ns
工作电压：3.3V
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据宽度：16位
接口类型：并行异步接口
最大工作频率：约143MHz（tRC=7ns）
封装尺寸：标准TSOP
功耗：低功耗CMOS设计
HY57V281620HCLT-7I 是一款高性能异步SRAM芯片，具有快速访问时间（7ns）和16位并行数据总线，能够显著提升系统数据吞吐能力。其采用低功耗CMOS工艺，在保持高性能的同时有效降低功耗，适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。该芯片的异步控制接口支持CE（片选）、OE（输出使能）和WE（写使能）信号，便于与多种微控制器或FPGA进行无缝连接。
此外，该器件具有宽工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业控制、网络设备、通信模块和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场合。TSOP封装形式不仅节省空间，而且具有良好的电气性能和热稳定性，适用于高密度PCB布局。
内部结构方面，HY57V281620HCLT-7I 采用全静态设计，无需刷新操作，数据在供电状态下可长期保持。其读写操作通过标准的异步地址和数据总线完成，简化了系统设计和时序控制。该芯片还具备高抗干扰能力和可靠性，满足EMI/EMC相关标准，适用于复杂电磁环境中的设备。
HY57V281620HCLT-7I 主要应用于需要高速、低延迟数据存储的场景，例如嵌入式系统的高速缓存、工业控制主板、通信路由器和交换机的数据缓冲器、FPGA或ASIC的外部存储器扩展、视频采集和处理设备的帧缓存，以及汽车电子控制系统中的临时数据存储。由于其工业级温度范围和高可靠性，也广泛用于医疗设备、测试仪器和智能仪表等领域。
CY7C1041CV33-7ZSXC、IS61LV25616-7TF、IDT71V416S08YG、A2B514S16D3B-7A、KSM8J1A16AHC4008
