时间：2025/8/15 20:41:42
阅读：5
QPD2120D 是 Qorvo 公司推出的一款高性能 GaN（氮化镓）射频功率晶体管，主要用于 5G 通信系统和其他宽带射频应用。这款晶体管设计用于在 2 GHz 至 4 GHz 频率范围内提供高效率和高线性输出功率，适用于基站、无线基础设施和工业通信设备。QPD2120D 采用 Qorvo 的高可靠性 GaN 工艺制造，具备出色的热管理和耐用性，使其在高功率操作下保持稳定性能。
工作频率范围：2.0 GHz - 4.0 GHz
输出功率：典型值 120 W（连续波）
效率：典型值 65%
增益：25 dB
漏极电压：50 V
封装类型：D类法兰封装
输入阻抗：50Ω
存储温度：-65°C 至 +150°C
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
QPD2120D 的主要特性之一是其宽频率覆盖范围，使其适用于多种射频应用，尤其是在 5G 基站中的高功率放大器设计。该器件在 2 GHz 至 4 GHz 范围内提供高线性输出功率和优异的效率，从而减少对额外散热设备的需求，并提高系统整体能效。此外，QPD2120D 具有出色的热管理能力，采用先进的封装技术，确保在高功率运行时的稳定性和长期可靠性。
其高增益性能减少了对前级放大器的依赖，简化了系统设计并降低了整体成本。该晶体管还具有良好的互调失真（IMD）性能，适用于需要高信号保真度的应用场景。QPD2120D 的设计也考虑了易用性，支持标准射频电路布局，并可与常见射频组件兼容，便于集成到现有系统中。
QPD2120D 主要用于 5G 宏基站和小型基站中的射频功率放大器模块。它也适用于其他宽带通信系统，如 LTE、WiMAX、DVB-T 和专业无线通信设备。该器件的高效率和高线性输出功率特性使其成为需要高功率密度和高效能的无线基础设施应用的理想选择。此外，QPD2120D 还可用于测试设备、工业控制系统和军事通信系统中。
QPD2110, QPD2140
