MHPM7B20A60D 是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的功率MOSFET模块,主要用于高功率密度和高效率的应用。该模块采用了先进的沟槽栅极和场截止技术,提供低导通损耗和开关损耗,适用于工业电源、太阳能逆变器、UPS系统以及电动汽车充电设备等应用场景。该模块具有良好的热性能和高可靠性,能够在苛刻的环境中稳定工作。
类型:功率MOSFET模块
额定电压:600V
额定电流:20A
导通电阻(Rds(on)):典型值为70mΩ
封装类型:模块封装
最大工作温度:150°C
短路耐受能力:有
封装尺寸:符合行业标准
极性:N沟道
MHPM7B20A60D 的主要特性包括其采用先进的沟槽栅极技术和场截止结构,从而实现了低导通电阻和优异的开关性能。这种设计不仅降低了导通损耗,还减少了开关过程中的能量损失,提高了整体系统效率。
此外,该模块具有良好的热管理能力,能够在高温环境下保持稳定运行,延长了设备的使用寿命。其模块化封装设计有助于简化PCB布局,并提供更好的散热性能。
另一个关键特性是其具备一定的短路耐受能力,增强了在异常工作条件下的可靠性与安全性。这些特性使得 MHPM7B20A60D 成为高功率密度和高效能电源系统的理想选择。
MHPM7B20A60D 被广泛应用于多种高功率电子系统中,包括工业电源转换器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车充电系统以及电机驱动器等。在工业电源中,该模块能够实现高效能的DC-DC或AC-DC转换;在太阳能逆变器中,它支持高效的直流电转换为交流电供家庭或电网使用;在电动汽车充电设备中,它能够承受高电压和大电流,确保充电过程的安全与高效。
此外,其优异的热稳定性和可靠性也使其成为航空航天、医疗设备和自动化控制系统等高要求领域的理想选择。
SKM200GB12T4, FSBB20CH60DF, PM200CL120IPF