G5628ADJT1U 时间：2025/9/12 15:02:55 阅读：12

G5628ADJT1U 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的低电压、低功耗、高速度的双极型晶体管（BJT）阵列芯片。该器件内含多个NPN型晶体管，适用于需要多个晶体管协同工作的电路设计。该器件封装为TSSOP，适用于便携式设备、工业控制、信号切换以及电源管理等多种应用场景。G5628ADJT1U 的设计支持在较低电压下运行，从而提高了整体能效并降低了功耗。

参数

晶体管类型：NPN
　　配置：阵列（多个晶体管）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSSOP
　　安装类型：表面贴装
　　频率：100MHz
　　增益带宽积：250MHz

特性

G5628ADJT1U 具有多个高性能NPN晶体管集成在一个封装内，适用于复杂的模拟和数字电路设计。
　　该器件采用低电压工作设计，适合低功耗应用，如电池供电设备和便携式电子产品。
　　其TSSOP封装形式使得器件体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时支持表面贴装技术，提高了生产效率。
　　由于其高频特性，G5628ADJT1U 适用于高速开关和放大电路，例如射频信号处理、数据通信接口以及高速逻辑门电路。
　　该器件的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，使其适用于工业级和汽车电子应用，具备良好的热稳定性和可靠性。
　　每个晶体管都具有较高的增益带宽积（250MHz），从而保证了优异的高频响应和放大性能。

应用

G5628ADJT1U 主要应用于需要多个晶体管的电子电路中，如便携式设备中的信号放大和开关控制。
　　在通信系统中，该器件可用于射频信号的放大和处理，支持高速数据传输和接收电路的设计。
　　工业控制系统中，G5628ADJT1U 可用于传感器信号处理、逻辑控制和电源管理模块。
　　此外，该器件也适用于音频放大电路、逻辑门电路以及高速开关应用，如马达控制、继电器驱动和LED背光调节等场景。
　　在汽车电子中，它可用于车载娱乐系统、导航模块、车载通信设备以及车载电源管理系统。