PDTD123TT 时间：2025/9/14 22:45:42 阅读：12

PDTD123TT 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 NPN 型双极性晶体管（BJT），广泛用于低频功率放大和开关应用。这款晶体管具有良好的稳定性和可靠性，适用于各种通用电子电路设计。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：110-800（取决于电流和型号后缀）
　　频率响应：100MHz
　　封装类型：SOT-23

特性

PDTD123TT 晶体管具有多个显著特点。首先，其 NPN 结构使其适用于通用放大和开关电路，具有较高的电流增益，能够提供稳定的放大性能。其次，该晶体管的集电极-发射极电压（Vceo）为 30V，使其能够在中等电压环境下工作，适用于多种电子设备。此外，PDTD123TT 的最大集电极电流为 100mA，足以满足许多低功耗电路的需求。晶体管的 hFE（电流增益）范围为 110 至 800，具体值取决于工作电流和型号后缀，提供了灵活的设计选择。该晶体管采用 SOT-23 封装，体积小，适合高密度 PCB 设计，并具有良好的散热性能。此外，其频率响应高达 100MHz，可用于中高频放大应用。PDTD123TT 的最大功耗为 300mW，确保在不同工作条件下保持稳定的性能。总体而言，这款晶体管具备高可靠性、良好的电气特性和广泛的应用范围，是电子设计中的常用元件。

应用

PDTD123TT 主要用于各种电子电路中的开关和放大功能。它常用于音频放大器、信号放大器、逻辑电平转换器和电源管理电路。此外，该晶体管也适用于数字电路中的驱动器和缓冲器设计。由于其良好的频率响应，PDTD123TT 可以用于射频（RF）放大电路，适用于无线通信设备中的信号处理模块。在工业控制领域，这款晶体管可以用于传感器信号放大和继电器驱动电路。由于其紧凑的 SOT-23 封装，PDTD123TT 特别适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路。