时间：2025/8/9 12:45:35
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FMC49N20T2 是一款由 Fairchild（现为ON Semiconductor）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有高电流处理能力和低导通电阻的特点，适用于各种高效率电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：49A
导通电阻(Rds(on))：0.036Ω
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
FMC49N20T2 MOSFET具有多个关键特性，使其适用于高性能电源应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高系统效率，这对于需要高能效的电源设计尤为重要。其次，该器件支持高达49A的连续漏极电流，能够应对高负载需求，适用于高功率输出的应用场景。
此外，该MOSFET具有200V的漏源击穿电压，能够承受较高的电压应力，提高了在高压环境下的稳定性和可靠性。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热管理，还具备良好的热性能，有助于在高负载条件下维持较低的工作温度，延长器件寿命。
该器件的栅源电压容限为±20V，提供了较高的驱动灵活性，允许使用多种类型的驱动电路。同时，其最大功率耗散为200W，使其在高功率应用中表现出色。整体而言，FMC49N20T2是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种工业和消费类电子设备中的功率管理电路。
FMC49N20T2广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及各类高功率电子设备。由于其高电流容量和低导通电阻，特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。
在工业自动化领域，该MOSFET可用于控制电机、继电器和执行器的开关操作。在新能源应用中，如太阳能逆变器和风力发电系统，FMC49N20T2可作为功率开关元件，实现高效的能量转换。此外，它也常用于服务器电源、电信设备电源模块以及电动汽车充电系统等高要求的电子系统中。
IRF1405, FDP49N20, STP49NF20
