HM75N06K 时间：2025/6/21 0:40:17 阅读：4

HM75N06K 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种电源管理和功率转换应用。其封装形式为 TO-220，能够承受较高的电流和电压，同时具备良好的散热性能。
　　HM75N06K 的额定电压为 60V，最大持续漏极电流可达 75A，非常适合用于开关电源、电机驱动器以及 DC-DC 转换器等场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏极电流：75A
　　导通电阻（典型值）：1.8mΩ
　　栅极电荷（典型值）：95nC
　　总功耗：140W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-220

特性

HM75N06K 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗。
　　2. 快速开关特性，支持高频操作。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
　　4. 紧凑的 TO-220 封装设计，便于安装和散热管理。
　　5. 工作温度范围宽广，适应多种环境需求。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。

应用

HM75N06K 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动和控制电路。
　　3. 各类 DC-DC 转换器及电压调节模块。
　　4. 电池保护和负载切换。
　　5. 逆变器和不间断电源系统 (UPS)。
　　6. 工业自动化设备中的功率管理单元。