W45NM60是一款功率MOSFET晶体管,主要用于高功率应用中的开关操作。它由国际知名半导体制造商开发,广泛应用于电源转换、马达控制、照明系统以及工业自动化设备等领域。W45NM60属于N沟道增强型MOSFET,具有较低的导通电阻和较高的工作电压特性,这使其能够承受较大的电流负载,同时减少功率损耗。该器件采用TO-247封装形式,确保了良好的散热性能和机械稳定性。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):45A
漏极-源极击穿电压(VDS):600V
栅极-源极电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):0.27Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-247
W45NM60功率MOSFET具有多项优异的电气和热性能,使其在各种高功率开关应用中表现出色。首先,其高达600V的漏极-源极击穿电压(VDS)使它适用于高电压环境,如电源供应器和工业设备中的开关电源(SMPS)。其次,该器件的最大漏极电流为45A,确保它能够驱动大功率负载。此外,其导通电阻(RDS(on))仅为0.27Ω,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
W45NM60的栅极-源极电压(VGS)范围为±30V,提供了良好的栅极驱动兼容性,可与多种控制电路配合使用。其TO-247封装不仅提供了优良的热管理性能,还增强了器件在高功率环境下的可靠性。此外,该MOSFET具备较低的输入电容和输出电容,有助于提高开关速度并减少开关损耗,从而提高整体系统性能。
W45NM60广泛应用于多种高功率电子设备中,特别是在需要高效开关和高电压承受能力的场合。它常见于开关电源(SMPS)设计中,用于AC/DC和DC/DC转换器,以提高转换效率并减少热量产生。此外,该器件也广泛用于马达驱动器和逆变器系统,如工业自动化设备和电动工具中,用于控制电机的转速和方向。在照明系统中,W45NM60可用于高强度放电灯(HID)和LED驱动器,确保稳定可靠的光源控制。此外,该MOSFET还可用于不间断电源(UPS)、电池管理系统和太阳能逆变器等新能源领域,提供高效的电能转换方案。
STP45NM60ND, IRG4BC30W, FQA40N60