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2SD1478A-R 发布时间 时间:2025/7/12 18:11:56 查看 阅读:11

2SD1478A-R是一种NPN型双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),主要用于音频放大和开关应用。该晶体管具有较高的电流增益和良好的频率特性,适用于各种低频到中频的信号放大电路以及驱动负载的开关电路。
  2SD1478A-R在设计上具备较高的集电极-发射极击穿电压(VCEO)和较低的饱和电压,使其在电源管理、音频功率放大和其他模拟电路中表现出色。其封装形式通常为TO-126或类似的塑封结构,便于安装和散热。

参数

集电极-发射极击穿电压(VCEO):80V
  集电极最大电流(IC):15A
  功耗(Ptot):150W
  直流电流增益(hFE):20~100
  过渡频率(fT):8MHz
  集电极-基极击穿电压(VCBO):90V
  工作温度范围:-55℃~+150℃

特性

2SD1478A-R的主要特性包括高电流处理能力、宽动态范围的电流增益、优秀的热稳定性以及较低的饱和电压,这些特点使其非常适合用于大功率音频放大器中的推动级或输出级。此外,该晶体管还具有较好的噪声性能,在高频下的表现依然稳定。
  其封装设计提供了良好的散热路径,允许器件在较高功率条件下运行。同时,由于其较高的击穿电压,能够承受一定范围内的电压波动而不至于损坏。
  另外,2SD1478A-R的低饱和电压有助于提高效率,特别是在开关应用中可以减少能量损耗。

应用

该晶体管广泛应用于以下领域:
  1. 音频功率放大器中的推动级或输出级
  2. 大功率开关电路
  3. 电机控制与驱动
  4. 负载切换
  5. 电源管理模块
  6. 各种工业设备中的信号放大和功率转换电路
  2SD1478A-R凭借其出色的性能,特别适合于需要大电流和高电压耐受能力的应用场景。

替代型号

2SD1478, 2SC4229, BU483A

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