时间：2025/7/3 16:10:00
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TMK325B7106MM-TD是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、低损耗的应用场景设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理应用领域。其出色的性能使其成为高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用的理想选择。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有良好的热稳定性和可靠性，能够满足严苛工作环境下的需求。通过优化的封装设计，进一步提升了散热性能和电气特性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.4mΩ（典型值）
总栅极电荷：95nC
输入电容：2800pF
输出电容：1400pF
反向恢复时间：80ns
结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功耗。
2. 快速的开关速度，适合高频应用。
3. 高电流处理能力，可承受大负载。
4. 出色的热性能，支持长时间稳定运行。
5. 良好的短路耐受能力，提高系统可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保设计。
7. 先进的封装技术，增强散热效果。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 工业自动化设备
5. 电动车及混合动力汽车中的电力系统
6. 太阳能逆变器
7. 电池管理系统（BMS）
8. 通信电源模块
9. 各种需要高效功率转换的场合
IRFB4110TRPBF
STP120NF06L
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