输出电压：2.8V
　　输出电流：150mA
　　输入电压范围：2.5V至6V
　　静态电流：典型值为50μA
　　压差电压：典型值为200mV（在150mA负载下）
　　工作温度范围：-40°C至125°C
　　封装类型：SOT-23-5

RT9193-28PB.TR具有多项优良特性，确保其在多种应用场景下的稳定性和高效性。首先，其低压差特性（典型值为200mV）使得在输入电压接近输出电压时仍能保持稳定输出，从而提高能效，减少发热。其次，该器件具有较高的电源抑制比（PSRR），通常在1kHz时可达60dB以上，能够有效抑制输入电压中的纹波和噪声，提供干净的输出电压。
　　此外，RT9193-28PB.TR内置过热保护（OTP）和过流保护（OCP）功能，确保在异常工作条件下器件不会损坏。其低静态电流（50μA）特性非常适合电池供电设备，有助于延长电池寿命。由于采用CMOS工艺，该LDO还具有快速启动能力和良好的负载与线路调节率，确保输出电压在不同负载和输入电压变化下保持稳定。
　　该器件无需外部电容即可稳定工作，进一步简化了外围电路设计。SOT-23-5封装形式不仅节省空间，还具备良好的热性能，适合在高密度PCB设计中使用。

RT9193-28PB.TR广泛应用于需要低功耗、小尺寸和高稳定性的电子设备中。典型应用包括便携式消费电子产品（如智能手表、蓝牙耳机、手持仪表等）、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee模块）、传感器供电、微控制器系统电源管理、RF射频前端电路以及各类低功耗物联网（IoT）设备。
　　由于其出色的PSRR和低噪声特性，RT9193-28PB.TR也常用于为高精度模拟电路（如ADC、DAC、运算放大器等）提供干净的电源。在电池供电系统中，该LDO能够有效延长电池寿命，提高系统的整体能效。

HT733-1（Holtek）、LD1117S30TR（STMicroelectronics）、LP2985IM5-2.8（Texas Instruments）