型号：2SJ267
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.2A（@ Vgs = -10V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（@ Vgs = -10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（@ Vgs = -4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　最大功耗（Pd）：1W（@ Ta=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SJ267 P沟道MOSFET采用了先进的沟槽型硅栅极工艺技术，这种结构不仅提升了载流子迁移效率，还显著降低了导通电阻，从而在相同尺寸下实现了更高的电流承载能力。其低Rds(on)特性使得在导通状态下能量损耗极小，提高了整体系统效率，特别适合对能效要求较高的便携式设备电源管理应用。该器件具备快速的开关响应时间，能够在高频开关环境中稳定运行，减少开关过程中的动态损耗，进一步提升电源转换效率。同时，由于其P沟道特性，2SJ267在高端开关配置中无需额外的电荷泵电路即可实现有效的电压控制，简化了电源架构设计并降低成本。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持-10V至0V的标准驱动电平，同时也可在-4.5V的较低电压下正常工作，具备良好的逻辑电平兼容性，可直接由微控制器或其他数字逻辑器件驱动。这使其在电池供电系统中表现出色，尤其是在单节锂电池供电的3.7V系统中仍能可靠地开启与关断。此外，器件内部集成了体二极管，能够在感性负载关断时提供续流路径，防止电压反冲损坏其他元件。
　　2SJ267还具备优良的热稳定性和可靠性，经过严格的工业级测试，可在-55°C至+150°C的结温范围内长期稳定工作，适用于各种严苛环境下的电子设备。其SOT-23封装形式体积小巧，便于高密度PCB布局，有助于缩小整机尺寸。尽管封装较小，但通过优化引脚设计和材料选择，仍能有效传导热量，配合合理的PCB铜箔设计可实现良好的散热效果。

2SJ267常用于各类低电压、低功率的开关控制场合，尤其适用于便携式电子设备中的电源管理单元。在电池供电系统中，它常被用作负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，从而实现节能待机或系统休眠模式。例如，在智能手机和平板电脑中，可用于LCD背光电源的开启与关闭，或在蓝牙耳机中控制音频放大器的供电状态。此外，该器件也广泛应用于DC-DC转换器中的同步整流电路，特别是在降压（Buck）变换器的上桥臂中作为高端开关使用，利用其P沟道特性避免使用复杂的自举电路或电荷泵，简化设计并降低成本。
　　在反向极性保护电路中，2SJ267同样表现出色。当电源输入极性接反时，P沟道MOSFET不会导通，从而有效阻止电流反向流动，保护后级电路不受损坏。这种方案相比传统二极管防反接方式具有更低的压降和更高的效率，特别适合对功耗敏感的应用场景。此外，该器件还可用于电机驱动、LED驱动、继电器驱动等需要高速开关控制的场合。在工业控制、智能家居传感器节点、USB供电设备等领域也有广泛应用。
　　由于其高集成度和小封装特性，2SJ267也适用于空间受限的高密度印刷电路板设计，如可穿戴设备、TWS耳机、智能手表等产品中。其稳定的电气性能和良好的温度适应性，使其能够在复杂电磁环境和温度变化较大的条件下保持可靠运行，是现代低功耗电子产品中不可或缺的关键元器件之一。

SI2301, FDS6670A, AO3401A, BSS84