FS56X475K101EGG是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和优化的开关性能,适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的场景。
FS56X475K101EGG采用了增强型封装技术,能够提供出色的散热性能和电气特性,同时支持高电流操作和快速开关速度。其主要目标市场包括消费电子、工业设备以及汽车电子领域。
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ@Vgs=10V
击穿电压(V(BR)DSS):75V
连续漏极电流(Id):120A
栅极电荷(Qg):80nC
输入电容(Ciss):3000pF
反向恢复时间(trr):45ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻以减少传导损耗。
2. 快速开关速度和低栅极电荷,降低开关损耗。
3. 优化的热阻设计,提升散热能力。
4. 高雪崩能量承受能力,提高系统可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
6. 可靠性经过严格测试,适合严苛环境下的应用。
7. 封装形式支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业逆变器
5. 汽车电子中的负载切换
6. 充电器和适配器
7. LED驱动电路
8. 电池管理系统(BMS)中的保护开关
IRF540N
STP75NF06
FDP5600
AO3400